容量将翻番！SK海力士成功研发新型闪存芯片
SK海力士4月11日宣布，已经成功研发出72层堆叠、单晶片容量256Gb的3D TLC闪存芯片。
SK海力士有望在第四季度做到内存芯片容量翻番，伴随着年底内存价格下降，将会迎来一大波内存升级热潮。
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ZOL
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科客点评：SK海力士有望在第四季度做到内存芯片容量翻番，伴随着年底内存价格下降，将会迎来一大波内存升级热潮。
PC明星产品固态硬盘的发展速度依然激进，SK海力士4月11日宣布，已经成功研发出72层堆叠、单晶片容量256Gb的3D TLC闪存芯片。由此，SK海力士成为业界第一，领先三星和东芝的64层。
于是，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，只需要两颗芯片，就能造出单面1T、双面2T的M.2 SSD，且成本更低。如不出意外的话，SK海力士在Q4将把单晶片容量做到翻番。另外，除了SSD，SK海力士称，相关芯片也会用于智能手机。
根据Gartner的统计，SK海力士是DRAM世界第二、闪存世界第五，他们已经向东芝报价，希望拿下后者欲出售的闪存股份。（ZOL，原标题《TB时代来临 SK海力士推出72层3D NAND》）
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